作為PC不可缺少的重要核心部件——內(nèi)存，它伴隨著DIY硬件走過了多年歷程。從286時代的30pin SIMM內(nèi)存、486時代的72pin SIMM 內(nèi)存，到Pentium時代的EDO DRAM內(nèi)存、PII時代的SDRAM內(nèi)存，到P4時代的DDR內(nèi)存和目前9X5平臺的DDR2內(nèi)存。內(nèi)存從規(guī)格、技術、總線帶寬等不斷更新?lián)Q代。不過我們有理由相信，內(nèi)存的更新?lián)Q代可謂萬變不離其宗，其目的在于提高內(nèi)存的帶寬，以滿足CPU不斷攀升的帶寬要求、避免成為高速CPU運算的瓶頸。那么，內(nèi)存在PC領域有著怎樣的精彩人生呢？下面讓我們一起來了解內(nèi)存發(fā)展的歷史吧。

　　一、歷史起源——內(nèi)存條概念

　　如果你細心的觀察，顯存（或緩存）在目前的DIY硬件上都很容易看到，顯卡顯存、硬盤或光驅(qū)的緩存大小直接影響到設備的性能，而寄存器也許是最能代表PC硬件設備離不開RAM的，的確如此，如果沒有內(nèi)存，那么PC將無法運轉(zhuǎn)，所以內(nèi)存自然成為DIY用戶討論的重點話題。

　　在剛剛開始的時候，PC上所使用的內(nèi)存是一塊塊的IC，要讓它能為PC服務，就必須將其焊接到主板上，但這也給后期維護帶來的問題，因為一旦某一塊內(nèi)存IC壞了，就必須焊下來才能更換，由于焊接上去的IC不容易取下來，同時加上用戶也不具備焊接知識（焊接需要掌握焊接技術，同時風險性也大），這似乎維修起來太麻煩。

　　因此，PC設計人員推出了模塊化的條裝內(nèi)存，每一條上集成了多塊內(nèi)存IC，同時在主板上也設計相應的內(nèi)存插槽，這樣內(nèi)存條就方便隨意安裝與拆卸了，內(nèi)存的維修、升級都變得非常簡單，這就是內(nèi)存“條”的來源。
　小帖士：內(nèi)存(Random Access Memory，RAM)的主要功能是暫存數(shù)據(jù)及指令。我們可以同時寫數(shù)據(jù)到RAM 內(nèi)存，也可以從RAM 讀取數(shù)據(jù)。由于內(nèi)存歷來都是系統(tǒng)中最大的性能瓶頸之一，因此從某種角度而言，內(nèi)存技術的改進甚至比CPU 以及其它技術更為令人激動。

　　二、開山鼻祖——SIMM 內(nèi)存

　　在80286主板發(fā)布之前，內(nèi)存并沒有被世人所重視，這個時候的內(nèi)存是直接固化在主板上，而且容量只有64 ～256KB，對于當時PC所運行的工作程序來說，這種內(nèi)存的性能以及容量足以滿足當時軟件程序的處理需要。不過隨著軟件程序和新一代80286硬件平臺的出現(xiàn)，程序和硬件對內(nèi)存性能提出了更高要求，為了提高速度并擴大容量，內(nèi)存必須以獨立的封裝形式出現(xiàn)，因而誕生了前面我們所提到的“內(nèi)存條”概念。

　　在80286主板剛推出的時候，內(nèi)存條采用了SIMM（Single In-lineMemory Modules，單邊接觸內(nèi)存模組）接口，容量為30pin、256kb，必須是由8 片數(shù)據(jù)位和1 片校驗位組成1 個bank，正因如此，我們見到的30pin SIMM一般是四條一起使用。自1982年PC進入民用市場一直到現(xiàn)在，搭配80286處理器的30pin SIMM 內(nèi)存是內(nèi)存領域的開山鼻祖。

　　隨后，在1988 ～1990 年當中，PC 技術迎來另一個發(fā)展高峰，也就是386和486時代，此時CPU 已經(jīng)向16bit 發(fā)展，所以30pin SIMM 內(nèi)存再也無法滿足需求，其較低的內(nèi)存帶寬已經(jīng)成為急待解決的瓶頸，所以此時72pin SIMM 內(nèi)存出現(xiàn)了，72pin SIMM支持32bit快速頁模式內(nèi)存，內(nèi)存帶寬得以大幅度提升。72pin SIMM內(nèi)存單條容量一般為512KB ～2MB，而且僅要求兩條同時使用，由于其與30pin SIMM 內(nèi)存無法兼容，因此這個時候PC業(yè)界毅然將30pin SIMM 內(nèi)存淘汰出局了。
　　小帖士：72線的SIMM內(nèi)存引進了一個FP DRAM（又叫快頁內(nèi)存），在386時代很流行。因為DRAM需要恒電流以保存信息，一旦斷電，信息即丟失，其刷新頻率每秒鐘可達幾百次，但由于FP DRAM使用同一電路來存取數(shù)據(jù)，所以DRAM的存取時間有一定的時間間隔，這導致了它的存取速度并不是很快。另外，在DRAM中，由于存儲地址空間是按頁排列，所以當訪問某一頁面時，切換到另一頁面會占用CPU額外的時鐘周期。

　　三、徘徊不前——EDO DRAM內(nèi)存

　　EDO DRAM（Extended Date Out RAM，外擴充數(shù)據(jù)模式存儲器）內(nèi)存，這是1991 年到1995 年之間盛行的內(nèi)存條，EDO-RAM同F(xiàn)P DRAM極其相似，它取消了擴展數(shù)據(jù)輸出內(nèi)存與傳輸內(nèi)存兩個存儲周期之間的時間間隔，在把數(shù)據(jù)發(fā)送給CPU的同時去訪問下一個頁面，故而速度要比普通DRAM快15~30%。工作電壓為一般為5V，帶寬32bit，速度在40ns以上，其主要應用在當時的486及早期的Pentium電腦上。
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