關(guān)于Bios怎么設(shè)置內(nèi)存的問(wèn)題，這在網(wǎng)上經(jīng)常被人提及，那么下面就由小編來(lái)給你說(shuō)說(shuō)bios設(shè)置內(nèi)存的方法吧!希望你們喜歡!

bios設(shè)置內(nèi)存的方法：

CMOS中關(guān)于內(nèi)存的設(shè)置比較多，但不少選項(xiàng)是比較專業(yè)的，因此，如果設(shè)置后出現(xiàn)問(wèn)題，請(qǐng)選擇“LOADBIOSDEFAULTS”，恢復(fù)可靠的設(shè)置參數(shù)。下面逐條說(shuō)明相關(guān)內(nèi)存設(shè)置。

Above1MBMemoryTest：設(shè)置開(kāi)機(jī)自檢時(shí)是否檢測(cè)1M以上內(nèi)存。該選項(xiàng)已經(jīng)在新的BIOS中被淘汰。由于內(nèi)存價(jià)格暴跌，電腦用戶安裝內(nèi)存容量陡然增加，開(kāi)機(jī)時(shí)的大容量?jī)?nèi)存自檢時(shí)間太長(zhǎng)，今后，即使一遍的內(nèi)存檢測(cè)可能也會(huì)出現(xiàn)允許/禁止開(kāi)關(guān)。

AutoConfiguration：設(shè)置為允許時(shí)，BIOS按照最佳狀態(tài)設(shè)置。BIOS可以自動(dòng)設(shè)置內(nèi)存定時(shí)，因此會(huì)禁止一些對(duì)內(nèi)存設(shè)置的修改，建議選擇允許方式。

MemoryTestTickSound：是否發(fā)出內(nèi)存自檢的滴嗒聲。

MemoryParityErrorCheck：設(shè)置是否要設(shè)置內(nèi)存奇偶校驗(yàn)。多在30線內(nèi)存條使用時(shí)代，已經(jīng)被淘汰。但把非奇偶校驗(yàn)內(nèi)存強(qiáng)行進(jìn)行奇偶校驗(yàn)設(shè)置會(huì)使電腦無(wú)法開(kāi)機(jī)。

CacheMemoryController：是否使用高速緩存。不在流行的AwardBIOS中使用。

ShadowRAMOption：設(shè)置系統(tǒng)BIOS或顯示卡BIOS是否映射到常規(guī)內(nèi)存中。可以加快速度，但也可能造成死機(jī)。

InternalCacheMemory：是否使用CPU內(nèi)部緩存(一級(jí)緩存)。可以提高系統(tǒng)性能。

ExternalCacheMemory：是否使用CPU外部緩存(主板上的二級(jí)緩存)。可以提高系統(tǒng)性能。AMD新的具有兩級(jí)緩存的CPU的出現(xiàn)，使主板上的二級(jí)緩存退居成三級(jí)緩存。

ConcurrentRefresh：直譯是同時(shí)發(fā)生的刷新。設(shè)置CPU在對(duì)其它I/O操作時(shí)對(duì)內(nèi)存同時(shí)刷新，可以提高系統(tǒng)性能。

DRAMReadWaitState：設(shè)置CPU從內(nèi)存讀數(shù)據(jù)時(shí)的等待時(shí)鐘周期。在內(nèi)存比CPU慢時(shí)可以設(shè)置更多的等待。

DRAMWriteWaitState：設(shè)置CPU向內(nèi)存寫數(shù)據(jù)時(shí)的等待時(shí)鐘周期。在內(nèi)存比CPU慢時(shí)可以設(shè)置更多的等待。

SlowRefresh：對(duì)質(zhì)量好的內(nèi)存，保持?jǐn)?shù)據(jù)的時(shí)間比較長(zhǎng)，可以設(shè)置更長(zhǎng)的時(shí)間周期，從而提高系統(tǒng)性能。

ShadowCachecable：把映射到常規(guī)內(nèi)存的BIOSROM增加高速緩存，使性能更進(jìn)一步。

PageMode：使內(nèi)存工作于PageMode或PageInterleaved模式。

RASTimeoutCounter：使PageMode或PageInterleaved模式的工作速度更快。因?yàn)橛锌赡軙?huì)超過(guò)內(nèi)存RAS周期，因此采用計(jì)數(shù)器來(lái)監(jiān)視RAS周期，一旦超過(guò)RAS周期，則將周期自動(dòng)復(fù)位為0。

MemoryRelocation：內(nèi)存重新定位。即將384的上位內(nèi)存(UpperMemoryBlock)數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)儲(chǔ)到1MB以上的擴(kuò)展內(nèi)存中。

MemoryHole：有人稱作內(nèi)存孔洞。把內(nèi)存地址15MB-16MB的區(qū)域留給一些特殊的ISA擴(kuò)展卡使用，可以加速該卡工作速度或避免沖突。一般被設(shè)置成禁止，除非ISA擴(kuò)展卡有專門的說(shuō)明。

DRMATimingSetting：快頁(yè)內(nèi)存或EDO內(nèi)存速度設(shè)置，通常是60ns或70ns選擇，對(duì)10ns或更快的SDRAM內(nèi)存無(wú)效。

(責(zé)任編輯：VEVB)