電腦硬件參數(shù)知識(shí)內(nèi)存篇

2019-09-11 22:26:15

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供稿：網(wǎng)友

電腦硬件參數(shù)知識(shí)內(nèi)存篇

看參數(shù)識(shí)內(nèi)存

有了內(nèi)存芯片，再加上不太復(fù)雜的工藝制造，許多稍有實(shí)力的廠家就可生產(chǎn)出成品的內(nèi)存來了，除此而外，大家無論是在選購或使用內(nèi)存時(shí)還應(yīng)了解。

1.工作頻率

內(nèi)存的工作頻率即該內(nèi)存的標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范。例如PC100標(biāo)準(zhǔn)的內(nèi)存頻率是100MHz，PC133的頻率是133MHz。而DDR內(nèi)存它是在SDRAM內(nèi)存基礎(chǔ)上發(fā)展起來的，由于它是在同頻的SDRAM的基礎(chǔ)上的數(shù)據(jù)雙倍傳送，那么它的帶寬就比同頻的SDRAM多一倍，例如DDR266內(nèi)存它以133MHz運(yùn)行時(shí)其實(shí)際工作頻率就是266MHz，帶寬就是2.1GB/S。

如果你要買一根DDR333的內(nèi)存，商家卻拿了一根DDR266的給你，比較簡單可行的辨別辦法是，可從DDR內(nèi)存的存取時(shí)間上來了解，例如-7和-7.5納秒的一般為DDR266的內(nèi)存，-6納秒的一般為DDR333的內(nèi)存，-5納秒一般為DDR400內(nèi)存。

而DDR的后續(xù)標(biāo)準(zhǔn)DDRII同DDR相比更加先進(jìn)，它在DDR數(shù)據(jù)雙倍傳送的基礎(chǔ)上發(fā)展成為數(shù)據(jù)四倍傳送，比DDR又快了一倍！如果同樣運(yùn)行在133MHz的外頻下，其工作頻率為532MHz/S，它的帶寬就可達(dá)4.2GB/S。

2.CAS值

大家知道，內(nèi)存有個(gè)CAS(Column Address Strobe，列地址選通脈沖)延遲時(shí)間，內(nèi)存在存儲(chǔ)信息時(shí)就象一個(gè)大表格一樣，通過行(Column)和列(Row)來為所有存儲(chǔ)在內(nèi)存里的信息定位，CL就是指要多少個(gè)時(shí)鐘周期后才能找到相應(yīng)的位置。

對(duì)于SDRAM而言一般有2和3兩個(gè)值選擇，而DDR內(nèi)存可分為2和2.5兩種。CAS值越小越好，也就是說DDR內(nèi)存值為2的產(chǎn)品性能要好于2.5的產(chǎn)品，如果你需要的是CAS值為2的產(chǎn)品，那么大家在選擇時(shí)要注意JS用2.5的產(chǎn)品做2的產(chǎn)品來賣給大家(可實(shí)際使用或用內(nèi)存測試軟件進(jìn)行測試)。

3.內(nèi)存的標(biāo)示常識(shí)

此外，了解一些DDR內(nèi)存芯片的編號(hào)知識(shí)也能讓大家更深的了解DDR內(nèi)存。下面我們就以最常見的HY的DDR內(nèi)存為例為大家做一講解：

HY XX X XX XX XX X X X X X-XX

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11

1：代表HY的廠標(biāo)

2：為內(nèi)存芯片類型—5D：DDR SDRAMS

3：工藝與工作電壓—V：CMOS，3.3V；U:CMOS，2.5V

4：芯片容量和刷新速率—64:64MB，4kref；66:64MB，2kref；28:128MB，4kref；56:256MB，8kref；12 :512MB，8kref

5: 芯片結(jié)構(gòu)(數(shù)據(jù)寬度)—4：X4(數(shù)據(jù)寬度4bit)；8:x8；16:x16；32:x32

6：BANK數(shù)量—1:2BANKs；2:4BANKs

7：I/O界面—1:SSTL_3；2:SSTL_2

8：芯片內(nèi)核版本—空白:第一代；A:第二代；B:第三代；C:第四代