1.內(nèi)存的單面與雙面，單Bank與雙Bank的區(qū)別?

單面內(nèi)存與雙面內(nèi)存的區(qū)別在于單面內(nèi)存的內(nèi)存芯片都在同一面上，而雙面內(nèi)存的內(nèi)存芯片分布在兩面。而單Bank與雙Bank的區(qū)別就不同了。Bank從物理上理解為北橋芯片到內(nèi)存的通道，通常每個(gè)通道為64bit。一塊主板的性能優(yōu)劣主要取決于它的芯片組。不同的芯片組所支持的Bank是不同的。如Intel 82845系列芯片組支持4個(gè)Bank，而SiS的645系列芯片組則能支持6個(gè)Bank。如果主板只支持4個(gè)Bank，而我們卻用6個(gè)Bank的話(huà)，那多余的2個(gè)Bank就白白地浪費(fèi)了。雙面不一定是雙Bank，也有可能是單Bank，這一點(diǎn)要注意。

2.內(nèi)存的2-2-3通常是什么意思?

這些電腦硬件文章經(jīng)常出現(xiàn)的參數(shù)就是在主板的BIOS里面關(guān)于內(nèi)存參數(shù)的設(shè)置了。通常說(shuō)的2-2-3按順序說(shuō)的是tRP(Time of Row Precharge)，tRCD(Time of RAS to CAS Delay)和CL(CAS Latency)。tRP為RAS預(yù)充電時(shí)間，數(shù)值越小越好;tRCD是RAS到CAS的延遲，數(shù)值越小越好;CL(CAS Latency)為CAS的延遲時(shí)間，這是縱向地址脈沖的反應(yīng)時(shí)間，也是在一定頻率下衡量支持不同規(guī)范的內(nèi)存的重要標(biāo)志之一。

3.內(nèi)存的雙通道技術(shù)和單通道有什么不同?

什么是雙通道DDR技術(shù)呢?需要說(shuō)明的是，它并非我們以前所介紹的DDRII，而是一種可以讓2條DDR內(nèi)存共同使用，數(shù)據(jù)并行傳輸?shù)募夹g(shù)。雙通道DDR技術(shù)的優(yōu)勢(shì)在于，它可以讓內(nèi)存帶寬在原來(lái)的基礎(chǔ)上增加一倍，這對(duì)于P4處理器的好處可謂不言而喻。大家都知道400MHz FSB的P4處理器和主板傳輸數(shù)據(jù)的帶寬為3.2GB/s，而533MHz FSB的P4處理器的吞吐能力更是達(dá)到了4.3GB/s，但是目前除了I850E支持的Rambus PC1066規(guī)范外，根本沒(méi)有內(nèi)存可以滿(mǎn)足處理器的需要，我們最常用的DDR333本身僅具有2.7GB/s的帶寬。

4.DDR-Ⅱ和現(xiàn)在的DDR內(nèi)存有什么不同?

DDR-II內(nèi)存是相對(duì)于現(xiàn)在主流的DDR-I內(nèi)存而言的，它們的工作時(shí)鐘預(yù)計(jì)將為400MHz或更高。主流內(nèi)存市場(chǎng)將從現(xiàn)在的DDR-333產(chǎn)品直接過(guò)渡到DDR-II。DDR-II內(nèi)存將采用0.13微米制程，容量為18MB/36MB/72MB，最大288MB，字節(jié)架構(gòu)為X8、X18、X36，讀取反應(yīng)時(shí)間為2.5個(gè)時(shí)鐘周期。通過(guò)將DLL(delay-locked loop，延時(shí)鎖定回路)設(shè)計(jì)到內(nèi)存中(這與Rambus設(shè)計(jì)理念相似)，輸出的數(shù)據(jù)效率提升65%左右，DDR數(shù)據(jù)傳送方式為每周期32個(gè)字節(jié)，并且可以隨工作頻率的提升達(dá)到更高性能 。已知道的規(guī)格有：系統(tǒng)內(nèi)存方面包括400MHz(4.8GB/s帶寬)、533MHz(5.6GB/s帶寬)、667MHz(6.4GB/s帶寬)三種，顯卡(默認(rèn)規(guī)格)方面包括800MHz、1000MHz兩種。所有的DDR-II內(nèi)存均在1.8V下工作，單條容量至少有512MB。DDR-II管腳數(shù)量有200pin、220pin、240pinFBGA封裝形式之分，與現(xiàn)在的DDR內(nèi)存不相容。